Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Классификация СППП ЭЭ

ССППП – современные силовые полупроводниковые приборы. Выпускаются на материалах: кремниевые (Si) и карбидкремниевые (SiC).
Карбидкремниевые (SiC) – частотные свойства как минимум в 2 раза лучше и вырождается при температурах в 2,5 раза больше (около 300˚С). Время включения и выключения в 2÷3 раза меньше.

МВД – мощные выпрямительные диоды.

Диоды Шоттки – высокочастотные с малым падением напряжения в открытом состоянии (Uост = 0,30,5 В; U = 200300В, токи 100А).

PIN диоды – сочетают свойства МВД и Шоттки, высокочастотные, высоковольтные, высокоточные выпрямительные диоды, малые времена включения и выключения, но высокое  Uост 35В.

БТ – биполярный транзистор
IJBT – биполярные транзисторы с изолированным затвором.
MOSFET – полевые транзисторы.
SCR – полууправляемый тиристор (три р-n перехода).
GTO, IGCT – полностью управляемый тиристор.
MCT – полностью управляемые тиристоры, с полевым управлением без потребления тока.
IPM – интеллектуально-силовые модули.

Предельные параметры основных полупроводниковых приборов.

Характеристики СППП ЭЭ.

Дата публикации:2012-10-19

Просмотров:866

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.