Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором.

Обратный диод не всегда встроен.

Существуют так называемые чопперные транзисторы:

 

Схема для IGBT транзистора, соответствующая рис. 2.10:


VT4 осуществляет коммутацию. Транзистор VT3 – полевой, работает в режиме источника тока (задает базовый ток VT4). Транзистор VT2 – фиксированный источник напряжения (исключает насыщение VT4). VT1 обеспечивает бестоковое включение VT3.

Основные преимущества IGBT:

  • полностью управляемый ключ;
  • управление осуществляется без потребления мощности;
  • высокие частотные свойства  fраб =50÷100 кГц, tвкл = tвыкл = 10÷100мс
  • tвкл, tвыкл = 10÷100нс. 
  • высокие  и  :

 ;     .

А у тиристоров:

 ;     .

  • Применяются в снаберах. Снабер – защита от сверх больших  и  .  
  • частота коммутации – . В последнее время приборы работают на частоте .

Недостаток:

    • относительно высокое  Uост = 1,7÷3В
    • большое напряжение в открытом состоянии Uк,нас =2÷3В
    • нельзя много транзисторов включать параллельно (задание по току при параллельном соединении примерно 20 -30%);

Область применения: самый распространенный прибор в силовой электронике.

  • преобразователи частоты (инверторы) и напряжения для регулируемого электропривода переменного тока;
  • системы электропитания для электротехнологии (сварка, электролиз, плавление);
  • автономные системы электропитания для транспортных средств (железнодорожный и авиационный транспорт);
  • тяговые электропривода (электрический транспорт).

Дата публикации:2012-10-19

Просмотров:1098

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







...

 

2012-2017 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.