Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Гетероэпитаксия кремния

 

Гетероэпитаксия Si на диэлектрических подложках (лейкосапфир, иногда или BeO) – одно из перспективных направлений в технологии ИМС, т. к в этом случае естественным путем решается проблема изоляции элементов схемы на подложке (быстродействие микросхем возрастает на 2 порядка, увеличивается так же плотность и радиационная стойкость МС).

В качестве подложки наиболее распространен монокристаллический лейкосапфир. Он теплопроводен, имеет высокую диэлектрическую проницаемость, выращивается в диаметре до 30 см2, хотя имеет не полное соответствие с Si по параметру решетки и коэффициенту термического расширения.

Лучшие результаты дает силановый метод получения (хлоридный метод менее пригоден т.к химические реагенты взаимодействуют с сапфиром). Большое внимание уделяется качеству подготовки подложки: полировка до 14; отжиг при 1500-1600°С или травление в Н2 (фреоне) при 1450-1550°С. При этом удаляется слой 8-10 мкм. Перед эпитаксией еще раз травят в Н2.

Al2O3(тв) + 2H2→ Al2O(пар) + 2Н2О(пар)

Первый слой Si образуется в результате замещения Al в сапфире на Si.

Недостатки: 1) загрязнение слоя Al и O2

2) неоднородные свойства по толщине

 

Эпитаксия полупроводниковых соединений АIIIBV

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:479

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.