Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Физические методыи получения тонких пленок

  • термическое испарение материала пленки в вакууме;
  • катодное распыление;
  • магнетронное распыление;
  • ионно-плазменное распыление;
  • электролитическое осаждение;
  • молекулярно-лучевая эпитаксия с надежной аттестацией атомной и магнитной структуры.

Катодное распыление

Анод и катод расположены в камере, заполненной инертным газом (аргон или ксенон)  под давлением 10-100Па (1Паскаль = 1н/м2 = 7,5  10-3 мм.рт.ст.). Напряжение  в несколько киловольт вызывает в газе тлеющий разряд. Положительные ионы газа, двигаясь к катоду (мишень), разгоняются и бомбардируют мишень, выбивая частицы материала мишени, которые затем осаждаются на подложку. 

Метод   термического испарения в вакууме Метод  заключается в испарении металла или сплава в вакууме и конденсации его паров на поверхности пластинки (подложки). Им получают пленки  чистых металлов, сплавов, полупроводниковых и изоляционных материалов.

Применение ионов при осаждении тонких пленок

Широкое применение  для получения пленочных структур нашел метод ионной имплантации.  Основная задача метода – легирование наночастицами  поверхностного слоя материала.  Поверхность  бомбардируют в вакууме  потоком ионов какого-либо элемента. Энергия ионов настолько велика, что они внедряются в поверхностный слой, проникая на определенную глубину. Затем производят отжиг для образования наночастиц.

Метод магнетронного распыления является разновидностью метода осаждения из плазмы. Он позволяет использовать катоды не только из металлов и сплавов, но и из различных соединений, и снижать температуру подложки на 100-200К и ниже. Степень ионизации, кинетическая энергия ионов и скорость осаждения при магнетронном распылении ниже, чем при использовании плазмы электродугового разряда. Недавно были предложены методы осаждения, в которых в качестве бомбардирующих использовали не ионы инертного газа, а  ионы самого осаждаемого материала (автоионы). Они не вносят дополнительных загрязнений в пленку, так как сами являются осаждаемым материалом.  Подобный метод осаждения пленок называется методом частично ионизированного потока (ЧИП-метод) и по своей сути является  модификацией метода магнетронного распыления.

Читайте далее:

Дата публикации:2012-11-09

Просмотров:1407

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.