Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Физико-химические и электрические свойства Si

Si - кристаллизуется в структуре алмаза. Связь ковалентная.= 1.12 эВ.

В химическом отношении относительно инертен. Хорошо растворим лишь в смеси HNO3+HF и кипящих щелочах. Окисление до SiO2 происходит при t > 9000С. Тпл = 14140С, d = 2.33 г/см3, а = 0.5431 нм.

При 1100-1300 взаимодействие с N2 с образованием Si3N4. Хорошо растворим во многих расплавленных металлах, с рядом из них образует силициды.

При взаимодействии Si с С образуется карбид SiC – очень устойчивое химическое соединение с полупроводниковыми свойствами.

Собственная проводимость может быть при <1016 м-3, что не достигается современными методами очистки.

Расплав Si имеет в 30 раз меньше, а плотность на 10% больше. В расплаве Ом*м и ведет себя подобно жидким металлам.

Атомы элементов III и V групп Периодической системы, являясь соответственно акцепторами и донорами, создают мелкие уровни в запрещенной зоне с энергией ионизации примерно 0.05 эВ. Одним из основных методов легирования полупроводниковых пластин Si и создания “p-n” переходов является диффузия электрически активных примесей. Их максимум растворимости при 1200-13000С. Из-за ограничений в растворимости примесей и относительно низкой подвижности носителей заряда затруднено получение монокристаллов Si с < 10-5 Ом×м.

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:330

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.