Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Элионные технологии

Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев

 

Установка УНЭС-2ПВ используется для наращивания эпитаксиальных слоев на Si-подложки по силановой технологии.

Состоит из шкафов газораспределения и управления, 2-х рабочих камер, скруббера, высокочастотного генератора, программного устройства. Реактор изготавливают из кварца, реже из Cr-Ni-сплава, держатели для подложек из графита или стеклографита. Нагревают током высокой частоты с помощью индуктора.

Количество обработанных подложек за 1 цикл:

при диаметре 60мм – 36 шт,

при диаметре 40 мм – 72 шт

Температурный рабочий диапазон 1100÷1350°С.

Неоднородность температурного поля в зоне подложек ±10°С.

Максимальная скорость подачи газовой смеси – 0,3 м/с.

Мощность 150 кВт.

Масса – 1800кг.

Установки УНЭС-2П-КС и УНКС – имеют производительность в 2 раза больше. Их работа автоматизирована и процесс программируется.

 

 

Слово «элион» - производная от двух слов: электрон и ион.

Это технологии, использующие направленный перенос энергии электронными или ионными пучками (лучами).

Используется в процессах сплавления, легирования, сварки, микрофрезерования, засветки фоторезиста, разложения поверхностных соединений, распыления материалов.

Достоинства: легкость управления и автоматизации процесса.

Электронный луч применяют для термических и нетермических процессов.

При сплавлении разлагающихся веществ с полупроводниками, испарении, сварке корпусов, сверлении и т.п. мощность луча может быть > 109 Вт/см2.

Для процессов анализа и контроля (сканирующая электронная микроскопия) мощность электронного луча достаточно мала.

Ионный пучок используют для ионного легирования путем управляемого введения атомов в поверхностный слой для создания электронно-дырочных переходов в биполярных МОП-транзисторах (металл – окисел-полупроводник).

Регулируя по заданной программе с помощью электронных и магнитных полей энергию и дозу ионов, можно в широких пределах изменять концентрационный профиль распределения примеси в легированном полупроводниковом слое. Это является важным преимуществом ионного легирования. При бомбардировке ионами в полупроводник вводят примеси, которые нельзя ввести иным способом, при этом можно создать концентрацию примеси, значительно превышающую их растворимость в равновесных условиях, а область легирования может иметь очень четкие границы. Температура процесса может быть комнатной. Процесс очень быстротечен.

После ионного легирования полупроводниковые пластины необходимо отжигать для устранения радиационных дефектов (для Si - 700°C, τ = 30мин.).

Недостатки:

- малая глубина проникновения примесных ионов – «p-n» переходов,

- сложность и высокая стоимость оборудования,

- необходимость в специальных требований по технике безопасности (высокое напряжение).

 

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:829

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.