Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Эпитаксия SiC

Температурно - временной режим эпитаксии

 

I область насыщения раствора

II область кристаллизации

1 – контакт подложки с расплавом

2 – удаление расплава с подложки.

 

 

Примеси вводят в расплав.

При получении многослойных структур расплавы, входящие в контакт с подложкой, имеют различные составы.

 

 

 

Основной материал в перспективе для опто-, силовой и СВЧ-электроники.

Эпитаксиальное наращивание проводят из газовой и жидкой фазы.

Эпитаксия из газовой фазы

А) Сублимационная перекристаллизации технического SiC в атмосфере Ar (2000°-2200°С) или в вакууме (1800°-1900°С).

Подложка отделена от источника тонкой газопроницаемой графитовой диафрагмой и имеет температуру на 50-60°С меньше. Возникающее пресыщение (3-4%) достаточно для эпитаксиального роста.

Б) Пиролиз метилтрихлорсилана (СН3)Cl3Si

(СН3)Cl3Si→SiC+3HCl при 1200-1500°С

Подложки – SiC, Si

Легирование N2, B2H6 , BF3 или AlCl3, или Al(C2H5)3

(д) (акц) (акц)

Так как SiC имеет несколько политипов, эпитаксия из газовой фазы не обеспечивает политропную однородность.

Эпитаксия из жидкой фазы – метод движущегося растворителя. На кристаллическую подложку и на кристалл-источник вакуумным напылением наносят ~100 мкм слой растворителя: Co, Fe, Ni, Cr, Ag, но лучше Se, Pr, Ду, Тв. Оба кристалла складывают в «сэндвич», помещают в графитовый нагреватель с градиентом температуры (Тист. > Тподл.). Перенос вещества происходит диффузией через слой растворителя. Примеси Al, Ge введенные в растворитель обеспечивают «р»-тип, обычно это «n»- тип. Растворимость SiC в РЗЭ может достигать при 1850° - 30-60%

 

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:294

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.