Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Ионно - плазменное распыление

 

Это разновидность катодного распыления. Отличие в том, что бомбардировка катода осуществляется не ионами тлеющего разряда, а ионами плазмы газового разряда низкого давления. Может быть 3 и более электродов.

Схема установки

Рабочая камера откачивается до Р=10-6 мм.рт.ст. Включается ток накала катода и катод разогревается до получения термоэлектронного тока высокой плотности. После разогрева катода между катодом и анодом прикладывается разность потенциалов, а рабочая камера заполняется рабочим газом (Ar) до Р=10-4 10-3 мм.рт.ст. Между катодом и анодом возникает дуговой газовый разряд. Разрядный ток достигает нескольких ампер, а ΔU уменьшается до 40-60 В. При подаче на мишень отрицательного потенциала ионы будут «вытягиваться» из плазмы разряда и бомбардировать мишень. Атомные мишени, распыляясь, конденсируются на подложке.

Метод безынерционен. Снятие потенциала с мишени прекращает распыление. Подложка предварительно очищается ионным травлением. В таком виде метод применим для напыления проводящих материалов.

Для нанесения диэлектриков применяются высокочастотное плазменное распыление (ВПР). При постоянном потенциале на диэлектрической мишени накапливается электростатический заряд. Находясь под переменным потенциалом в высокочастотном поле мишень бомбардируется и ионами и электронами. Ионы распыляют мишень, а электроны нейтрализуют положительные заряды. Поле создается высокочастотным генератором. Скорость осаждения регулируется частотой и амплитудой высокочастотного напряжения, температурой подложки, напряжением внешнего магнитного поля (если оно есть для увеличения скорости осаждения).

В отечественных установках f=13,6 МГЦ (оптимум).

U=1000-3000 кВ

Промышленные установки ИОН-1В - высоковакуумные, многооперационные для изготовления многослойных тонкопленочных микросхем (6 слоев).

Преимущества: - процесс проводят в более высоком вакууме, чем при катодном распылении и пленка меньше загрязняется газами.

- пленки однородны по толщине;

- легкость управления процессом (изменением потенциала мишени);

- мишень может быть очень массивной и используется во многих циклах распыления (экономичность материала мишени);

- высокая адгезия пленок;

- состав пленки мало отличается от исходного материала;

- материал мишени может быть от проводящего до диэлектрического.

Недостатки:

- малая производительность метода.

- необходимость в специфическом вакуумном оборудовании (ВЧ-генератор, термокатод и т.д.)

 

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:586

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.