Разделы

Авто
Бизнес
Болезни
Дом
Защита
Здоровье
Интернет
Компьютеры
Медицина
Науки
Обучение
Общество
Питание
Политика
Производство
Промышленность
Спорт
Техника
Экономика

Полупроводниковые соединения AIIBVI и ТРЗ на их основе

 

К ним относят сульфиды, селениды, теллуриды Cd, Zn, Hg. Кристаллизация в структурах кубического сфалерита или гексагонального вюрцита. По сравнению с АIII ВV сильнее ионность связей.

∆Е ∆Е ∆Е

ZnS -3.7 ZnSe 2.73 ZnTe 2.23

CdS -2.5 CdSe 1.85 CdTe 1.51

HgS 1.78 HgSe 0.12 HgTe 0.08 - полуметалл

 

Поведение примесей подчиняется тем же закономерностям.

Особенность: электропроводность, как правило, одного типа независимо от легирования:

ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, HgS, HgSe – “n” – тип,

ZnTe – “p” – тип,

CdTe и HgTe могут быть и “p” - типом, и “n” - типом.

Проводимость соединений AIIBVI может быть на несколько порядков изменена путем термообработки в парах собственных компонентов: обработка CdS в парах S снижает проводимость на 10 порядков.

Технология получения AIIBVI разработана хуже АIIIВV . Это трудные объекты для получения, так как имеют высокие температуры плавления. Синтез часто проводят электрохимическим методом:

Раствор соли Ме + H2S – порошки

Раствор соли Ме + ТМ + лиганды + ОН- - пленки

Наиболее широко используются ZnS и CdS.

ZnS – промышленный люминофор (телеэкраны). По квантовому выходу превосходит все другие. Предпочтение отдают кубической сфалеритной модификации из-за повышенной яркости свечения. Активация медью дает зеленое или голубое свечение. С медью вводят соактиваторы – галогены (Сl). При этом образуется соединение Zn1-2yCu2yS1-2xCl2x .

Активация марганцем дает желтое свечение.

Недостатки люминофоров на основе ZnS – высокая скорость деградации приборов из-за высокой ионности связи, усиливающей процессы электролиза.

CdS – материал для высокочувствительных фоторезисторов (ФР) для видимой области спектра. Введение специальных примесей Cl, Cu значительно повышает чувствительность ФР.

Получают в пленочном виде гидрохимическим методом. Медь дает примесную проводимость. В качестве ФР используют также пленки CdSe.

HgSe, HgTe используют для изготовления высокочувствительных датчиков Холла. AIIBVI – перспективны для полупроводниковых лазеров. Большое значение имеют ТРЗ CdxZn1-xS; CdxZn1-xSe; CdS1-ySey в качестве материалов солнечной энергетики.

Особое значение имеет ТРЗ CdxHg1-xTe (КРТ). Спектр фоточувствительности этого соединения перекрывает окно прозрачности атмосферы 8-14мкм, в котором излучают все объекты окружающей среды. Поэтому этот материал – основа современной инфракрасной техники, использующийся в военном деле, экологии, медицине и так далее. Получают как в виде МК, так и в пленочном виде эпитаксией из жидкой или газовой фазы. Недостаток – деградация материала за счет сегрегации ртути. Перспективно его получение в космосе в условиях невесомости.

 

Дата публикации:2014-01-23

Просмотров:477

Вернуться в оглавление:

Комментария пока нет...


Имя* (по-русски):
Почта* (e-mail):Не публикуется
Ответить (до 1000 символов):







 

2012-2018 lekcion.ru. За поставленную ссылку спасибо.